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魅族E3评测(拆解篇)

楼主    2007-11-19 18:35:14
 
披着兽皮的猪
级别:登仕佐郎(从九品)[16168经验]登仕佐郎(从九品)[16168经验]登仕佐郎(从九品)[16168经验]
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    国内绝大多数MP3厂商不采用PNX0102解码方案一部分原因是因为相关技术门槛过高,不能很好的“驾驭”,那么我们就要反问了,魅族究竟是如何成功地驾驭这颗奔腾的“芯”?本篇拆解将为您简要解答。


  拆解E3需要用到的工具:小十字口螺丝刀、镊子、25W电烙铁。

  先拧下机身两侧的六颗螺丝,因为靠近电池仓的位置没有螺丝,所以此处是通过硬卡扣固定的,这也是造成在功能篇里我们所提到的“细缝”的主要原因。打开电池盖,然后用指甲沿按键的一面分别将前后外壳向外掰。


  取下前后外壳,我们可以看到E3内部仍然是一个整体,此时装入电池播放器、按键均可进行正常操作。另外E3的外壳用料比较考究,很厚实,这是拆机前笔者没有想到的。


  用镊了抽出电池盖转轴,电池盖便自然脱离了机身,然后再取下USB防尘帽。拆到这儿顺便说一下,笔者将USB防尘帽的关节部分用力拉了几下,弹性很大,比较结实,也说明了之前对橡胶防尘帽质量问题的担心是多余的。


  屏幕四周的黑色垫子在外壳合上时与镜面边缘处刚好贴在了一起,可以防止灰尘进入。


  五维摇杆部分稍显得有些复杂,主要是因为底层按键灯的设计,需要导光板将两个LED灯所发出的光均匀散开,所以四周做了一个塑料托架,中间的就是导光板了。


  在托架上有三个槽,导光板的三条支撑腿刚才卡在其中,而在导光板上我们可以发现两个凹槽,位置正好对应主板上的两个LED灯。

   


  这是取下导光板点亮按键灯的样子,以前部分国产机为节省成本而采用单灯设计,灯就在五维键旁边,离得比较近,光直接向上散,也有的为了漂亮而采用三个灯,红、绿、蓝,无论采用哪种,原理上都一样,只是在最现实的问题——防尘上考虑的都不够,E3在这方面做得还算不错,摇杆与导光板之间的缝隙控制的比较小,不过假如能在导光板外围再加一层海绵就更好了,灰尘也就无从进入了。


  机身背面金属外壳并没有与主板直接挨在一起,主板是单独固定在塑料壳中的,结构比较紧凑。


  主板整个儿不好往出拿,先取出第一层,因为另外一头是与底层的主板焊在一起的,待用镊子沿空隙伸进去把HOLD键取下来后再取出底层的主板。


  看起来主板似乎并不是很大,显示屏盖住了一半多的位置。


  背面,看到了FM调频收音芯片、时钟电池,电池负极下面的白色是显示屏背面。


  三层电路板层叠在一起,看起来是不是有点眼晕。 
   


  再往下拆就要用到电烙铁了,USB接口旁边的铁柱两头分别焊在上下两块电路板上,烧开其中一边就可以了。


  耳机插口与FM芯片处在同一块板上,闪存芯片单独设计在另一块小块上,这样做的成本比较高,但有利于后期维护。


 


  这是一个滤波器,与电池的正极相连,可以防止因电流变化而产生的干扰信号,保证主板电路尽可能不被干扰,从而达到更加纯净的音质输出。


  RTC时钟电池,旁边一大一小两个芯片是时钟芯片,在E3没电的情况下电池可持续提供电力,保证时间信息不被丢失。本想拆下电池看看的,结果发现负极边缘有一层胶,与主板牢牢粘在了一起,这样做的原因应该是防止电池因主机意外而脱落。


  这是FM调频收音芯片,用铁皮包起来是为了屏蔽外围电路信号干扰,从而获得比较好的收音质量。 
    


  闪存芯片独立在一块小板上,通过排线插槽与主板相连,这种模块化设计在中高端机上比较常见。


  E3采用的是SAMSUNG NAND型闪存,编号为K9K4G08U0M,这也是目前中端机型搭配的相对比较主流的闪存芯片,工作频率为20MHz,编号其中的4G表示4Gbit,也就是512MB。


三星K9K4G08U0M闪存芯片架构图


  1Page=(2K+64)Bytes
  1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes
  1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits


三星K9K4G08U0M闪存芯片地址信息


  其中:A0~11对页内进行寻址,可以被理解为“列地址”,A12~29对页进行寻址,可以被理解为“行地址”。为了方便,“列地址”和“行地址”分为两组传输,而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。

  读取性能:
   K9K4G08U0M读一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs;
   K9K4G08U0M实际读传输率:2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。

  写入性能:
   K9K4G08U0M写一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs;
   K9K4G08U0M实际写传输率:2112字节/405.9μs=5MB/s。


三星K9K4G08U0M闪存芯片封装图



 


K9K4G08U0M功能结构图



 


 


  这是内置MIC,与主机外壳的MIC孔并没有正对着,不过丝毫不影响灵敏度,功能篇里有录音测试文件,大家可以下载试听一下。


  E3的心脏——飞利浦PNX0102解码芯片,TFBGA180封装工艺,双核架构设计(ARM+DSP),采用32位ARM7核心RISC处理器,主频为60MHz。




  紧挨着解码芯片的这块体积略小的芯片是CHIPLUS公司生产的SRAM,编号为CS26LV16163HC,在E3里充当高速缓存,主要解决解码芯片(60MHz)与闪存芯片(20MHz)之间的速度差异,可提高主机整体的运行速度。


  这块SRAM芯片容量为16M,工作电压2.7 ~ 3.3V,采用48管脚BGA封装,Speed 70/85ns。


CS26LV16163HC功能结构图



  E3的显示屏背面比较特别,和FM调频芯片一样也用铁皮给包了起来,与主板连接的排线是直接焊上去的,需要电烙铁才能拆下来。


五维摇杆做工相当不错,比较结实

  从整个拆解过程来看,魅族E3的做工、结构设计在国货里来说都算得上是比较优秀的,主板焊点平整,手工焊接部分整洁饱满,模块化的设计也有利于日后的维护和维修。有不少的产品,包括韩货在内,主板都是直接与外壳靠在一起的,相对而言,E3的这种结构要更好一些,主板单独固定,与外壳没有直接的力关系,整个机身手感上要紧凑许多,机械部分的寿命也要更加长一些。
 
 
    
魅族 E3(1GB)
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