超频必备!两款名牌DDR2-800内存测试

宇瞻DDR2-800 512MB内存产品介绍:

自DDR2内存上市以来，就一直被广大网友认为是一种高价、低能的产品。事实确实如此，DDR2-400内存在上市的时候确实遇到了不少的阻力，如：厂商转产NAND flash闪存芯片和SDRAM存储芯片等产品。但这一切改变不了DDR2内存今后替代DDR的时代步伐，自DDR2 667内存开始已经不在是高延迟、高价格的产品。DDR2在广大用户心中的地位也逐渐树立起来。今天我们ZOL评测室收到了分别来自宇瞻和英飞凌送测的DDR2-800内存。下面就让我们一起来欣赏一下这两款DDR2内存中的高端代表。

　　提到宇瞻内存相信有不少DIY用户是非常了解的，一直以来宇瞻内存都占有不错的市场份额，在性能上的优点主要表现在两方面：一是稳定、兼容性比较好，二是超频能力出众，给DIYer留下的印象也非常不错。这次送来的DDR2 800规格的内存也不例外。

（宇瞻DDR2-800 512MB内存产品外观，点击放大）

　　透明的塑料包装十分简洁，搭配绿色的包装纸更加环保。虽然是采用塑料包装，但是强度很高，看来厂商在考虑节约成本的同时也考虑到了它对产品的保护。

（宇瞻DDR2-800 512MB内存产品正面）

　　该款宇瞻DDR2 800内存采用双面设计，单面8颗，双面共计16颗，单颗容量为32MB,总容量为512MB。

（宇瞻DDR2-800 512MB内存产品背面）

（宇瞻DDR2-800 512MB内存产品标签）

　　该款宇瞻DDR2-800内存采用化学镀金工艺制作，并在内存条的右侧贴有产品的标签，正好覆盖了四个颗粒，内存标签上印有产品的P/N及唯一的S/N序列号，并标有产品容量为512MB,频率PC2-6400。另外在内存条的顶端位置设计了Vref去藕电容，对于内存条来说是一个增加稳定性的做法，但成本很高。有些廉价内存都没有这个设计。这种设计在DDR内存中比较多见，对于技术成熟的DDR2内存来说不设计也是完全没有问题的，宇瞻的这种不惜工本的做法，无疑体现在它在内存制造中的专业度。

（宇瞻DDR2-800 512MB内存颗粒）

　　看到这个颗粒，相信很多朋友都不会陌生，这些颗粒就是采用著名日本ELPIDA(尔必达)的原厂芯片，图片中的TWN代表中国台湾地区封装。而产品的编号是E2508AB-GE-E。具体所代表的含义是：E代表尔必达内存，25表示为256Mb（不是单颗容量）及4Bank。08代表的是位宽为x8,A代表工作电压及接口类型:工作电压是1.8V,接口类型是SSLT-1.8。B表示核心版本，GE表示速度为800Mbps(5-5-5),E是环保码，是无铅的意思符合RoH标准。

（宇瞻DDR2-800 512MB内存测试平台安装图）

（宇瞻DDR2-800 512MB内存换一个角度去看）

英飞凌DDR2-800 512MB内存产品介绍:

接下来我们来看看英飞凌DDR2 800内存，作为上一代的DIYer，提到英飞凌或许大家难以忘怀在心中的那段记忆，早在2003年九月份，英飞凌公司正式在中国推出自有品牌的内存产品，新品以“德国科技”作为口号，以“星河内存”作为切入中国市场的第一品牌，续写英飞凌在国人心中的重要地位。英飞凌星河内存在中国区总代理为：锐科制造有限公司。

(英飞凌DDR2-800 512MB内存产品包装)

　　看到产品包装首先让我们感到十分亲切，传统的硬盒包装保护了内存在运输过程中的安全。

（英飞凌DDR2-800 512MB内存内存全貌，大图赏析）

　　打开包装看到这款内存的PCB打磨光滑、元器件焊接整齐、从每一个电阻都能看到德国工艺的精湛。英飞凌DDR2 800内存采用双面设计，单面8颗，双面共计16颗，单颗容量为32MB,单条总容量为512MB。

（英飞凌DDR2-800 512MB内存产品标签，点击放大）

　　这款内存采用了技术成熟的电镀金制作，从图片中我们可以看到该金手指涂层厚度均匀，色泽纯正。在产品的标签印“Assembled in Germany”，意味着这是在德国原厂装配，严谨德国科技无疑让我们十分放心，事实也证明该产品无论是做工用料，还是性能表现都十分出色。英飞凌的标签上标明了产品的编号、产地、容量等信息。

（双条内存安装在主板上样子很酷，点击放大）

（英飞凌原厂颗粒）

　　在这个颗粒上首先我们可以看到一串编号HYB18T256-800AF2S,从颗粒上可以看到容量、位宽、工作电压等详细信息。下面我们给大家详细介绍一下：首先HYB是一个前缀，18代表工作电压是1.8V,T表示DDR2,256代表是容量256Mb，80表示位宽是X8,o表示产品变化Standard product，A表示的是产品版本，F表示的是封装类型为FBGA,25代表速度/时序，2.5=DDR2 800 5-5-5。

测试平台介绍:

测试平台介绍：

　　针对本次这次内存评测，在CPU方面我们选用了Intel的一颗P4 EE3.46G处理器，它的FSB为1066MHz,拥有512KB的L2,2M的L3。主板我们使用的是华硕的P5WD2 Premium，这款主板采用了Intel的955X+ICH7R芯片组，支持1066/800/533的前端总线，支持DDR2 800/667/533规格的内存。显卡我们使用的是华硕的6800标准版，显卡的显存频率为600MHz，核心频率为350MHz。

（内存测试平台图2）

　　在测试过程中，我们将CPU的超线程关闭，为减少系统占用率，及获得更好的测试成绩，我们也在主板BIOS中屏蔽了网卡、声卡、1394等设备。

宇瞻DDR2-800 512MB内存详细测试:

最新1.30版本的CPU-Z便于我们更准确地了解产品信息，首先看到在SPD信息中Moudule Size的内存容量为512MBytes,频率为PC6400(400HMZ)等效于DDR2 800,生产厂及产品型号也都可以在Memory Slot Selection中看到。在SPD参数的信息表中，可以看到该款宇瞻DDR2 800内存的信息非常丰富，400MHz的工作状态下的时序为5.0-5-5-18，333MHz的工作状态下是4.0-5-5-15，266MHz的工作状态下是3.0-4-4-12。

（宇瞻DDR2-800 512MB内存CPU-Z截图）

（宇瞻DDR2-800 512MB内存400MHz频率检测）

　　用过内存异步的方式在CPU-Z的Memory的信息中，可以看到该内存的实际运行频率为400.7MHz，时序为5.0-X-X-18,中间没有显示到的地方可能与CPU-Z的版本有问题，希望今后的CPU-Z可以正常显示。

（宇瞻DDR2-800 512MB内存超频测试截图）

　　在加上0.1V的电压后内存成功超频至475MHz也就是DDR2 950,他能否突破DDR2 1000的频率呢?让我们继续再试试。

（宇瞻DDR2-800 512MB内存475MHz PCmark04截图）

　　经过各种加压超频的测试方法，我们最后还是把频率锁定在了475MHz的频率下，这种成绩已经相当不错了。

（宇瞻DDR2-800 512MB内存475MHz SuperPI截图）

（宇瞻DDR2-800 512MB内存475MHz Sisoftware截图）

　　通过测试成绩我们可以看出：超频前后测试分值还是得到明显的变化，对于仅增加了0.1V电压来说,宇瞻DDR2-800 512MB内存的表现非常令人满意。